Датчики
Провода и кабели, вводы и цепи
Промышленная безопасность
DF80R12W2H3F_B11 модуль IGBT
Тип: модуль IGBT; Напряжение, V: 1200; Ток, A: 80; Топология: Booster; Особенности: PressFIT
SiC Schottky diode
| Тип | модуль IGBT |
| Серия | IGBT HighSpeed 3 |
| Корпус | EasyPACK™ 2B |
| Напряжение, V | 1200 |
| Ток, A | 80 |
| Топология | Booster |
| Особенности | PressFIT SiC Schottky diode |
| Применение | промышленное |
| Мин. кол. | 1 |
Каталоги
чертежи \ схемы подключения \ софт
WEBP
Уточняйте наличие
Срок поставки:
По запросу
Колич.:
BYN (без НДС)
1
По запросу
Мин. кол.:
1 шт.
Кратно:
1 шт.
Упаковка:
1 шт.