DF8MR12W1M1HF_B67 модуль SiC MOSFET
Тип: модуль SiC MOSFET; Напряжение, V: 1200; Топология: Booster
| Тип | модуль SiC MOSFET |
| Серия | CoolSiC™ G1 |
| Корпус | Easy 1B |
| Напряжение, V | 1200 |
| Топология | Booster |
|
Без галогена
Без галогена
К галогенам относят: фтор (F), хлор (Cl), бром (Br), йод (I), астат (At), а также искусственный элемент теннессин (Ts). |
нет |
| RoHS: | да |
| Применение | промышленное |
| Мин. кол. | 1 |
Каталоги
Софт
Уточняйте наличие
Склад Минск:
По запросу
Колич.:
BYN (без НДС)
1
По запросу
Мин. кол.:
1 шт
Кратность:
1 шт
Упаковка:
1 шт