Датчики
Провода и кабели, вводы и цепи
Промышленная безопасность
F3L11MR12W2M1_B74 модуль SiC MOSFET
Тип: модуль SiC MOSFET; Напряжение, V: 1200; Топология: 3-Level
| Тип | модуль SiC MOSFET |
| Серия | CoolSiC™ G1 |
| Корпус | Easy 2B |
| Напряжение, V | 1200 |
| Топология | 3-level |
| Без галогена | нет |
| RoHS | да |
| Применение | промышленное |
| Мин. кол. | 1 |
Каталоги
Уточняйте наличие
Срок поставки:
По запросу
Колич.:
BYN (без НДС)
1
По запросу
Мин. кол.:
1 шт.
Кратно:
1 шт.
Упаковка:
1 шт.