F3L150R07W2E3_B11 модуль IGBT
Тип: модуль IGBT; Напряжение, V: 650; Ток, A: 150; Топология: 3-level; Особенности: PressFIT
SiC Schottky diode
Full-bridge
| Тип | модуль IGBT |
| Серия | IGBT3 - E3 |
| Корпус | EasyPACK™ 2B |
| Напряжение, V | 650 |
| Ток, A | 150 |
| Топология | 3-level |
| Особенности | PressFIT SiC Schottky diode Full-bridge |
| Применение | промышленное |
| Мин. кол. | 1 |
Каталоги
Софт
Уточняйте наличие
Склад Минск:
По запросу
Колич.:
BYN (без НДС)
1
По запросу
Мин. кол.:
1 шт
Кратность:
1 шт
Упаковка:
1 шт