Датчики
Провода и кабели, вводы и цепи
Промышленная безопасность
FF08MR12W1MA1_B11A модуль SiC MOSFET
Тип: модуль SiC MOSFET; Напряжение, V: 1200; Топология: Half-Bridge
| Тип | модуль SiC MOSFET |
| Серия | CoolSiC™ G1 |
| Корпус | Easy 1B |
| Напряжение, V | 1200 |
| Топология | Half-Bridge |
| Без галогена | нет |
| RoHS | да |
| Применение | для автомобильной промышленности |
| Мин. кол. | 1 |
Каталоги
Уточняйте наличие
Срок поставки:
По запросу
Колич.:
BYN (без НДС)
1
По запросу
Мин. кол.:
1 шт.
Кратно:
1 шт.
Упаковка:
1 шт.