IMZA65R027M1H SiC MOSFET девайс
Тип: SiC MOSFET девайс; Напряжение, V: 650; Температура эксплуатации, С: -55…175
| Серия | CoolSiC™ G1 |
| Тип | SiC MOSFET девайс |
| Напряжение, V | 650 |
| Корпус | TO247 4-pin (asymmetric leads) |
| Применение | промышленное |
| Температура эксплуатации, С | -55…175 |
| Полярность | N |
| Мин. кол. | 1 |
Каталоги
Наличие
Склад Минск:
По запросу
Колич.:
BYN (без НДС)
1
По запросу
Мин. кол.:
1 шт
Кратность:
1 шт
Упаковка:
1 шт