byn
byn
rus
rus
Каталог товаров
Датчики
Провода и кабели, вводы и цепи
Нераспределенные товары

IPB19DP10NM транзистор силовой MOSFET

Артикул: IPB19DP10NM
Производитель: Infineon
Артикул АБН: 423-IPB19DP10NM

Тип: транзистор силовой MOSFET; Напряжение, V: 100; Топология: P-Channel; Температура эксплуатации, С: -55…175

Тип транзистор силовой MOSFET
Серия OptiMOS™
Корпус D2PAK (TO-263)
Напряжение, V 100
Топология P-Channel
Температура эксплуатации, С -55…175
Применение промышленное
Мин. кол. 1
Каталоги
Уточняйте наличие
Склад Минск:
По запросу
Колич.: BYN (без НДС)
1 По запросу
Мин. кол.: 1 шт
Кратность: 1 шт
Упаковка: 1 шт