IPD042P03L3 G транзистор силовой MOSFET
Тип: транзистор силовой MOSFET; Напряжение, V: 30; Топология: P-Channel; Температура эксплуатации, С: -55…175
| Серия | OptiMOS™ P |
| Тип | транзистор силовой MOSFET |
| Напряжение, V | 30 |
| Топология | P-Channel |
| Корпус | DPAK (TO-252) |
| Применение | промышленное |
| Температура эксплуатации, С | -55…175 |
| Мин. кол. | 1 |
Каталоги
Наличие
Склад Минск:
По запросу
Колич.:
BYN (без НДС)
1
По запросу
Мин. кол.:
1 шт
Кратность:
1 шт
Упаковка:
1 шт