byn
byn
rus
rus
Каталог товаров
Датчики
Коммутация и индикация
Провода и кабели, вводы и цепи
Промышленная безопасность
Разъемы и соединители
Нераспределенные товары
S

IPD110N12N3 G транзистор силовой MOSFET

Артикул: IPD110N12N3 G
Производитель: Infineon
Артикул АБН: 423-IPD110N12N3G

Тип: транзистор силовой MOSFET; Напряжение, V: 120; Топология:  N-Channe; Температура эксплуатации, С: -55…175

Тип транзистор силовой MOSFET
Серия OptiMOS™ 3
Корпус DPAK (TO-252)
Напряжение, V 120
Полярность N
Топология N-Channe
Температура эксплуатации, С -55…175
Применение промышленное
Мин. кол. 1
Каталоги
Уточняйте наличие
Срок поставки:
По запросу
Колич.: BYN (без НДС)
1 По запросу
Мин. кол.: 1 шт.
Кратно: 1 шт.
Упаковка: 1 шт.