IPD600N25N3 G транзистор силовой MOSFET
Тип: транзистор силовой MOSFET; Напряжение, V: 250; Топология: N-Channe; Температура эксплуатации, С: -55…175
| Серия | OptiMOS™ 3 |
| Тип | транзистор силовой MOSFET |
| Напряжение, V | 250 |
| Топология | N-Channe |
| Корпус | DPAK (TO-252) |
| Применение | промышленное |
| Температура эксплуатации, С | -55…175 |
| Полярность | N |
| Мин. кол. | 1 |
Каталоги
Наличие
Склад Минск:
По запросу
Колич.:
BYN (без НДС)
1
По запросу
Мин. кол.:
1 шт
Кратность:
1 шт
Упаковка:
1 шт