21919770 SKM500MB120SC модуль IGBT
Тип: модуль IGBT; Напряжение, V: 1200; Ток, A: 485; Топология: Half-Bridge
| Тип | модуль IGBT |
| Корпус | SEMITRANS 3 |
| Напряжение, V | 1200 |
| Ток, A | 485 |
| Технология | SiC MOSFET |
| Топология | Half-Bridge |
| Кристалл | Gen 2 SiC MOSFET (RM) |
| Длина, мм | 106 |
| Ширина, мм | 62 |
| Высота, мм | 31 |
| Размер корпуса (ДхШхВ), мм | 106*62*31 |
| Мин. кол. | 1 |
Уточняйте наличие
Склад Минск:
По запросу
Колич.:
BYN (без НДС)
1
По запросу
Мин. кол.:
1 шт
Кратность:
1 шт
Упаковка:
1 шт