24920411 SK45MH120TSCp модуль SiC MOSFET
Тип: модуль SiC MOSFET; Напряжение, V: 1200; Топология: H-Bridge
| Тип | модуль SiC MOSFET |
| Корпус | SEMITOP 2 Press-Fit |
| Напряжение, V | 1200 |
| Ток, A | 33 |
| Технология | SiC MOSFET |
| Топология | H-Bridge |
| Кристалл | Gen 2 SiC MOSFET (RM) |
| Длина, мм | 28 |
| Ширина, мм | 40,5 |
| Высота, мм | 12 |
| Размер корпуса (ДхШхВ), мм | 28*40.5*12 |
| Вес нетто, г | 30 |
| Вес, кг | 0,03 |
| Мин. кол. | 1 |
Уточняйте наличие
Склад Минск:
По запросу
Колич.:
BYN (без НДС)
1
По запросу
Мин. кол.:
1 шт
Кратность:
1 шт
Упаковка:
1 шт