24922230 SK25DGDL12T4ETE2V1 модуль IGBT
Тип: модуль IGBT; Напряжение, V: 1200; Ток, A: 25; Топология: CIB; Особенности: 3-х фазный мост + BC + Инвертор
| Тип | модуль IGBT |
| Серия | SEMITOP®E2 |
| Корпус | SEMITOP E2 |
| Напряжение, V | 1200 |
| Ток, A | 25 |
| Технология | IGBT |
| Топология | CIB |
| Кристалл | IGBT 4 (Trench) |
| Длина, мм | 63 |
| Ширина, мм | 57 |
| Высота, мм | 12 |
| Размер корпуса (ДхШхВ), мм | 63*57*12 |
| Вес нетто, г | 35 |
| Вес, кг | 0,035 |
| Код ТН ВЭД | 85412900 |
| Страна производства | Италия |
| Особенности | 3-х фазный мост + BC + Инвертор |
| Мин. кол. | 1 |
Каталоги
Софт
Уточняйте наличие
Склад Минск:
По запросу
Колич.:
BYN (без НДС)
1
По запросу
Мин. кол.:
1 шт
Кратность:
1 шт
Упаковка:
1 шт