24923790 SK10DGDL12RAETE1 модуль IGBT
Тип: модуль IGBT; Напряжение, V: 1200; Ток, A: 10; Топология: CIB
| Тип | модуль IGBT |
| Корпус | SEMITOP E1 |
| Напряжение, V | 1200 |
| Ток, A | 10 |
| Технология | IGBT |
| Топология | CIB |
| Кристалл | RGA |
| Длина, мм | 63 |
| Ширина, мм | 34 |
| Высота, мм | 12 |
| Размер корпуса (ДхШхВ), мм | 63*34*12 |
| Вес нетто, г | 22 |
| Вес, кг | 0,022 |
| Мин. кол. | 1 |
Уточняйте наличие
Склад Минск:
По запросу
Колич.:
BYN (без НДС)
1
По запросу
Мин. кол.:
1 шт
Кратность:
1 шт
Упаковка:
1 шт