Датчики
Провода и кабели, вводы и цепи
TM25S12B1A-303B SiC девайс
Тип: SiC девайс; Напряжение, V: 1200
| Тип | SiC девайс |
| Напряжение, V | 1200 |
| Сопротивление, mΩ | 25 |
| Кристалл | G3 |
| Мин. кол. | 1 |
Уточняйте наличие
Склад Минск:
По запросу
Колич.:
BYN (без НДС)
1
0
По запросу
1
0
Мин. кол.:
1 шт
Кратность:
1 шт
Упаковка:
1 шт