byn
byn
rus
rus
Каталог товаров
Нераспределенные товары

Транзисторные модули SIC

модуль SiC

Тип: модуль SiC; Напряжение, V: 750; Ток, A: 680; Топология: 6-pack; Особенности: с NTC
Колич.: BYN (без НДС)
1
По запросу

модуль SiC

Тип: модуль SiC; Напряжение, V: 1200; Ток, A: 480; Топология: 6-pack; Особенности: с NTC
Колич.: BYN (без НДС)
1
По запросу

модуль SiC

Тип: модуль SiC; Напряжение, V: 1200; Ток, A: 450; Топология: 6-pack; Особенности: с NTC
Колич.: BYN (без НДС)
1
По запросу

модуль SiC

Тип: модуль SiC; Напряжение, V: 1200; Ток, A: 400; Топология: Half-Bridge
Колич.: BYN (без НДС)
1
По запросу

модуль SiC

Тип: модуль SiC; Напряжение, V: 1200; Ток, A: 300; Топология: Half-Bridge
Колич.: BYN (без НДС)
1
По запросу

модуль SiC

Тип: модуль SiC; Напряжение, V: 1700; Ток, A: 300; Топология: Half-Bridge
Колич.: BYN (без НДС)
1
По запросу

модуль SiC

Тип: модуль SiC; Напряжение, V: 1200; Ток, A: 300; Топология: Half-Bridge
Колич.: BYN (без НДС)
1
По запросу

модуль SiC

Тип: модуль SiC; Напряжение, V: 1700; Ток, A: 250; Топология: Half-Bridge
Колич.: BYN (без НДС)
1
По запросу

модуль SiC

Тип: модуль SiC; Напряжение, V: 1200; Ток, A: 200; Топология: Half-Bridge
Колич.: BYN (без НДС)
1
По запросу

модуль SiC

Тип: модуль SiC; Напряжение, V: 1200; Ток, A: 120; Топология: Half-Bridge
Колич.: BYN (без НДС)
1
По запросу

модуль SiC

Тип: модуль SiC; Напряжение, V: 1200; Ток, A: 15; Топология: 3-Bridge
Колич.: BYN (без НДС)
1
По запросу

модуль SiC MOSFET

Тип: модуль SiC; Напряжение, V: 1200
Колич.: BYN (без НДС)
1
По запросу

модуль SiC MOSFET

Тип: модуль SiC MOSFET; Напряжение, V: 1200; Ток, A: 25; Топология: 6-pack
Колич.: BYN (без НДС)
1
По запросу

модуль SiC MOSFET

Тип: модуль SiC MOSFET; Напряжение, V: 1200; Ток, A: 25; Топология: 6-pack
Колич.: BYN (без НДС)
1
По запросу

модуль SiC Hybrid

Тип: модуль SiC Hybrid; Напряжение, V: 1200; Ток, A: 200; Топология: Half-Bridge
Колич.: BYN (без НДС)
1
По запросу

модуль SiC Hybrid

Тип: модуль SiC Hybrid; Напряжение, V: 1200; Ток, A: 200; Топология: Half-Bridge
Колич.: BYN (без НДС)
1
По запросу

модуль SiC Hybrid

Тип: модуль SiC Hybrid; Напряжение, V: 1200; Ток, A: 200; Топология: Half-Bridge
Колич.: BYN (без НДС)
1
По запросу

модуль SiC Hybrid

Тип: модуль SiC Hybrid; Напряжение, V: 1200; Ток, A: 200; Топология: Half-Bridge
Колич.: BYN (без НДС)
1
По запросу

модуль SiC MOSFET

Тип: модуль SiC MOSFET; Напряжение, V: 1200; Топология: Half-Bridge
Колич.: BYN (без НДС)
1
По запросу

модуль SiC MOSFET

Тип: модуль SiC MOSFET; Напряжение, V: 1200; Топология: Half-Bridge
Колич.: BYN (без НДС)
1
По запросу

модуль SiC MOSFET

Тип: модуль SiC MOSFET; Напряжение, V: 1200; Топология: Half-Bridge
Колич.: BYN (без НДС)
1
По запросу

модуль SiC MOSFET

Тип: модуль SiC MOSFET; Напряжение, V: 1200; Топология: H-Bridge
Колич.: BYN (без НДС)
1
По запросу

модуль SiC MOSFET

Тип: модуль SiC MOSFET; Напряжение, V: 1200; Топология: 6-pack
Колич.: BYN (без НДС)
1
По запросу

модуль SiC MOSFET

Тип: модуль SiC MOSFET; Напряжение, V: 1200; Топология: 6-pack
Колич.: BYN (без НДС)
1
По запросу