GD50HFY120C1S модуль IGBT
Тип: модуль IGBT; Напряжение, V: 1200; Ток, A: 50; Топология: Half-Bridge
| Тип | модуль IGBT |
| Корпус | C1.0 |
| Напряжение, V | 1200 |
| Ток, A | 50 |
| Топология | Half-Bridge |
| Кристалл | Advanced Trench FS IGBT, Low Loss |
| Мин. кол. | 1 |
Каталоги
Софт
WEBP
Уточняйте наличие
Склад Минск:
По запросу
Колич.:
BYN (без НДС)
1
По запросу
Мин. кол.:
1 шт
Кратность:
1 шт
Упаковка:
1 шт