byn
byn
rus
rus
Каталог товаров
Датчики
Провода и кабели, вводы и цепи
Нераспределенные товары

DF200R12W1H3_B27 модуль IGBT

Артикул: DF200R12W1H3_B27
Производитель: Infineon
Артикул АБН: 423-DF200R12W1H3_B27

Тип: модуль IGBT; Напряжение, V: 1200; Ток, A: 200; Топология: Booster; Особенности: PressFIT
Phase leg

Тип модуль IGBT
Серия IGBT HighSpeed 3
Корпус EasyPACK™ 1B
Напряжение, V 1200
Ток, A 200
Топология Booster
Особенности PressFIT Phase leg
Применение промышленное
Мин. кол. 1
Уточняйте наличие
Склад Минск:
По запросу
Колич.: BYN (без НДС)
1 По запросу
Мин. кол.: 1 шт
Кратность: 1 шт
Упаковка: 1 шт