SIGC109T120R3E кристалл IGBT
Тип: кристалл IGBT; Напряжение, V: 1200; Ток, A: 100; Температура эксплуатации, С: -40…150
| Тип | кристалл IGBT |
| Напряжение, V | 1200 |
| Ток, A | 100 |
| Кристалл | IGBT3 |
| Температура эксплуатации, С | -40…150 |
| RoHS: | да |
|
Без галогена
Без галогена
К галогенам относят: фтор (F), хлор (Cl), бром (Br), йод (I), астат (At), а также искусственный элемент теннессин (Ts). |
да |
| Мин. кол. | 1 |
Каталоги
Софт
WEBP
Наличие
Склад Минск:
По запросу
Колич.:
BYN (без НДС)
1
По запросу
Мин. кол.:
1 шт
Кратность:
1 шт
Упаковка:
1 шт