Тип: датчик лазерный; Корпус: прямоугольный; Аналоговый выход: 0…10 V / 4…20 mA; Тип излучателя: лазер; Принцип действия: диффузное отражение; Номинальное напряжение, V: 12…28 DC; Способ подключения: разъем; Степень защиты: IP 67; Температура эксплуатации, С: 0…50
Тип: датчик лазерный; Корпус: прямоугольный; Аналоговый выход: 0…10 V / 4…20 mA; Тип излучателя: лазер; Принцип действия: диффузное отражение; Номинальное напряжение, V: 12…28 DC; Способ подключения: разъем; Степень защиты: IP 67; Температура эксплуатации, С: 0…50
Тип: датчик лазерный; Корпус: прямоугольный; Аналоговый выход: 0…10 V / 4…20 mA; Тип излучателя: лазер; Принцип действия: диффузное отражение; Номинальное напряжение, V: 12…28 DC; Способ подключения: разъем; Степень защиты: IP 67; Температура эксплуатации, С: 0…50
Тип: датчик лазерный; Корпус: прямоугольный; Аналоговый выход: 0…10 V / 4…20 mA; Тип излучателя: лазер; Принцип действия: диффузное отражение; Номинальное напряжение, V: 12…28 DC; Способ подключения: разъем; Степень защиты: IP 67; Температура эксплуатации, С: 0…50
Тип: датчик лазерный; Корпус: прямоугольный; Аналоговый выход: 0…10 V / 4…20 mA; Тип излучателя: лазер; Принцип действия: диффузное отражение; Номинальное напряжение, V: 12…28 DC; Способ подключения: разъем; Степень защиты: IP 67; Температура эксплуатации, С: 0…50
Тип: датчик лазерный; Корпус: прямоугольный; Аналоговый выход: 0…10 V / 4…20 mA; Тип излучателя: лазер; Принцип действия: диффузное отражение; Номинальное напряжение, V: 12…28 DC; Способ подключения: разъем; Степень защиты: IP 67; Температура эксплуатации, С: 0…50
Тип: датчик лазерный; Корпус: прямоугольный; Аналоговый выход: 0…10 V / 4…20 mA; Тип излучателя: лазер; Принцип действия: диффузное отражение; Номинальное напряжение, V: 12…28 DC; Способ подключения: разъем; Степень защиты: IP 67; Температура эксплуатации, С: 0…50
Тип: датчик лазерный; Корпус: прямоугольный; Электрическое исполнение выхода: NPN/PNP; Аналоговый выход: 0…10 V / 4…20 mA; Тип излучателя: лазер; Принцип действия: диффузное отражение; Номинальное напряжение, V: 21,6…26,4 DC; Способ подключения: разъем; Степень защиты: IP 67 / IP 54; Температура эксплуатации, С: -10…50
Тип: датчик лазерный; Корпус: прямоугольный; Электрическое исполнение выхода: NPN/PNP; Аналоговый выход: 0…10 V / 4…20 mA; Тип излучателя: лазер; Принцип действия: диффузное отражение; Номинальное напряжение, V: 21,6…26,4 DC; Способ подключения: разъем; Степень защиты: IP 67 / IP 54; Температура эксплуатации, С: -10…50
Тип: датчик лазерный; Корпус: прямоугольный; Электрическое исполнение выхода: NPN/PNP; Аналоговый выход: 0…10 V / 4…20 mA; Тип излучателя: лазер; Принцип действия: диффузное отражение; Номинальное напряжение, V: 21,6…26,4 DC; Способ подключения: разъем; Степень защиты: IP 67 / IP 54; Температура эксплуатации, С: -10…50
Тип: датчик лазерный; Корпус: прямоугольный; Электрическое исполнение выхода: NPN/PNP; Аналоговый выход: 0…10 V / 4…20 mA; Тип излучателя: лазер; Принцип действия: диффузное отражение; Номинальное напряжение, V: 21,6…26,4 DC; Способ подключения: разъем; Степень защиты: IP 67 / IP 54; Температура эксплуатации, С: -10…50
Тип: датчик лазерный; Корпус: прямоугольный; Электрическое исполнение выхода: NPN/PNP; Аналоговый выход: 0…10 V / 4…20 mA; Тип излучателя: лазер; Принцип действия: диффузное отражение; Номинальное напряжение, V: 21,6…26,4 DC; Способ подключения: разъем; Степень защиты: IP 67 / IP 54; Температура эксплуатации, С: -10…50
Тип: датчик лазерный; Корпус: прямоугольный; Электрическое исполнение выхода: NPN/PNP; Аналоговый выход: 0…10 V / 4…20 mA; Тип излучателя: лазер; Принцип действия: диффузное отражение; Номинальное напряжение, V: 21,6…26,4 DC; Способ подключения: разъем; Степень защиты: IP 67 / IP 54; Температура эксплуатации, С: -10…50
Тип: датчик лазерный; Корпус: прямоугольный; Электрическое исполнение выхода: NPN/PNP; Аналоговый выход: 0…10 V / 4…20 mA; Тип излучателя: лазер; Принцип действия: диффузное отражение; Номинальное напряжение, V: 21,6…26,4 DC; Способ подключения: разъем; Степень защиты: IP 67 / IP 54; Температура эксплуатации, С: -10…50
Тип: датчик лазерный; Корпус: прямоугольный; Электрическое исполнение выхода: NPN/PNP; Аналоговый выход: 0…10 V / 4…20 mA; Тип излучателя: лазер; Принцип действия: диффузное отражение; Номинальное напряжение, V: 21,6…26,4 DC; Способ подключения: разъем; Степень защиты: IP 67 / IP 54; Температура эксплуатации, С: -10…50
Тип: датчик лазерный; Корпус: прямоугольный; Электрическое исполнение выхода: NPN/PNP; Аналоговый выход: 0…10 V / 4…20 mA; Тип излучателя: лазер; Принцип действия: диффузное отражение; Номинальное напряжение, V: 21,6…26,4 DC; Способ подключения: разъем; Степень защиты: IP 67 / IP 54; Температура эксплуатации, С: -10…50
Тип: датчик лазерный; Корпус: прямоугольный; Электрическое исполнение выхода: NPN/PNP; Аналоговый выход: 0…10 V / 4…20 mA; Тип излучателя: лазер; Принцип действия: диффузное отражение; Номинальное напряжение, V: 21,6…26,4 DC; Способ подключения: разъем; Степень защиты: IP 67 / IP 54; Температура эксплуатации, С: -10…50
Тип: датчик лазерный; Корпус: прямоугольный; Электрическое исполнение выхода: NPN/PNP; Аналоговый выход: 0…10 V / 4…20 mA; Тип излучателя: лазер; Принцип действия: диффузное отражение; Номинальное напряжение, V: 24 DC; Способ подключения: разъем; Степень защиты: IP 67 / IP 54; Температура эксплуатации, С: -10…50
Тип: датчик лазерный; Корпус: прямоугольный; Электрическое исполнение выхода: NPN/PNP; Аналоговый выход: 0…10 V / 4…20 mA; Тип излучателя: лазер; Принцип действия: диффузное отражение; Номинальное напряжение, V: 24 DC; Способ подключения: разъем; Степень защиты: IP 67 / IP 54; Температура эксплуатации, С: -10…50
Тип: датчик лазерный; Корпус: прямоугольный; Электрическое исполнение выхода: NPN/PNP; Аналоговый выход: 0…10 V / 4…20 mA; Тип излучателя: лазер; Принцип действия: диффузное отражение; Номинальное напряжение, V: 24 DC; Способ подключения: разъем; Степень защиты: IP 67 / IP 54; Температура эксплуатации, С: -10…50
Фотоэлектрические датчики оснащены встроенным излучателем и приемником оптического излучения, чаще всего в красном или инфракрасном диапазоне. Они срабатывают, когда луч перекрывается непрозрачным объектом или поверхностью, способной отразить оптический сигнал. Такие датчики обеспечивают точное обнаружение объектов и широко применяются в автоматизации благодаря своей надежности и простоте использования.
В 1839 году Александр Эдмон Беккерель открыл фотоэлектрический эффект, который позже был объяснен Альбертом Эйнштейном в 1905 году. Это явление легло в основу работы фотоэлектрических устройств. В 1950-х годах фотоэлектрические датчики начали использоваться в промышленности для автоматизации процессов.
Сфера применения:
промышленность, автоматизация, бытовая техника, транспорт, медицина и т.д.