IGBT модули


модуль IGBT
Тип: модуль IGBT; Напряжение, V: 1200; Ток, A: 800; Топология: Common Emitter; Особенности: Phase leg
Колич.:
BYN (без НДС)
1
По запросу


модуль IGBT
Тип: модуль IGBT; Напряжение, V: 1200; Ток, A: 300; Топология: Common Emitter; Особенности: Common Collector module
Колич.:
BYN (без НДС)
1
По запросу


модуль IGBT
Тип: модуль IGBT; Напряжение, V: 1200; Ток, A: 2400; Топология: Common Collector; Особенности: Common Collector module
Колич.:
BYN (без НДС)
1
По запросу


модуль IGBT
Тип: модуль IGBT; Напряжение, V: 1200; Ток, A: 2400; Топология: Common Collector
Колич.:
BYN (без НДС)
1
По запросу


модуль IGBT
Тип: модуль IGBT; Напряжение, V: 1200; Ток, A: 400; Топология: Chopper
Колич.:
BYN (без НДС)
1
По запросу


модуль IGBT
Тип: модуль IGBT; Напряжение, V: 1200; Ток, A: 300; Топология: Chopper; Особенности: Enlarged Diode
Колич.:
BYN (без НДС)
1
По запросу


модуль IGBT
Тип: модуль IGBT; Напряжение, V: 1200; Ток, A: 900; Топология: Chopper; Особенности: TIM
Колич.:
BYN (без НДС)
1
По запросу


модуль IGBT
Тип: модуль IGBT; Напряжение, V: 1200; Ток, A: 200; Топология: Chopper; Особенности: Enlarged Diode
Колич.:
BYN (без НДС)
1
По запросу


модуль IGBT
Тип: модуль IGBT; Напряжение, V: 1200; Ток, A: 900; Топология: Chopper
Колич.:
BYN (без НДС)
1
По запросу


модуль IGBT
Тип: модуль IGBT; Напряжение, V: 1200; Ток, A: 200; Топология: Chopper
Колич.:
BYN (без НДС)
1
По запросу


модуль IGBT
Тип: модуль IGBT; Напряжение, V: 1200; Ток, A: 400; Топология: Chopper
Колич.:
BYN (без НДС)
1
По запросу


модуль IGBT
Тип: модуль IGBT; Напряжение, V: 1200; Ток, A: 600; Топология: Chopper
Колич.:
BYN (без НДС)
1
По запросу


модуль IGBT
Тип: модуль IGBT; Напряжение, V: 1200; Ток, A: 300; Топология: Chopper; Особенности: TIM
Колич.:
BYN (без НДС)
1
По запросу


модуль IGBT
Тип: модуль IGBT; Напряжение, V: 1200; Ток, A: 450; Топология: Chopper; Особенности: PressFIT
SiC Schottky diode
SiC Schottky diode
Колич.:
BYN (без НДС)
1
По запросу


модуль IGBT
Тип: модуль IGBT; Напряжение, V: 1200; Ток, A: 80; Топология: Booster; Особенности: PressFIT
SiC Schottky diode
SiC Schottky diode
Колич.:
BYN (без НДС)
1
По запросу


модуль IGBT
Тип: модуль IGBT; Напряжение, V: 1200; Ток, A: 160; Топология: Booster; Особенности: PressFIT
Колич.:
BYN (без НДС)
1
По запросу


модуль IGBT
Тип: модуль IGBT; Напряжение, V: 1200; Ток, A: 120; Топология: Booster; Особенности: PressFIT
Колич.:
BYN (без НДС)
1
По запросу


модуль IGBT
Тип: модуль IGBT; Напряжение, V: 1200; Ток, A: 200; Топология: Booster; Особенности: PressFIT
Phase leg
Phase leg
Колич.:
BYN (без НДС)
1
По запросу


модуль IGBT
Тип: модуль IGBT; Напряжение, V: 1200; Ток, A: 200; Топология: 3-level; Особенности: PressFIT
Phase leg
Phase leg
Колич.:
BYN (без НДС)
1
По запросу


модуль IGBT
Тип: модуль IGBT; Напряжение, V: 1200; Ток, A: 75; Топология: 3-level; Особенности: PressFIT
Phase leg
Phase leg
Колич.:
BYN (без НДС)
1
По запросу


модуль IGBT
Тип: модуль IGBT; Напряжение, V: 1200; Ток, A: 75; Топология: 3-level; Особенности: PressFIT
Phase leg
Phase leg
Колич.:
BYN (без НДС)
1
По запросу


модуль IGBT
Тип: модуль IGBT; Напряжение, V: 1200; Ток, A: 100; Топология: 3-level; Особенности: PressFIT
Колич.:
BYN (без НДС)
1
По запросу


модуль IGBT
Тип: модуль IGBT; Напряжение, V: 1200; Ток, A: 510; Топология: 3-level; Особенности: TIM
PressFIT
Phase leg
PressFIT
Phase leg
Колич.:
BYN (без НДС)
1
По запросу


модуль IGBT
Тип: модуль IGBT; Напряжение, V: 1200; Ток, A: 400; Топология: 3-level; Особенности: PressFIT
Колич.:
BYN (без НДС)
1
По запросу